报告题目：高迁移率二维材料的制备科学与器件应用
报 告 人：彭海琳 教授（北京大学）
报告时间：7月10日上午9:00-9:45
报告地点：新能源大楼115报告厅
报告摘要：石墨烯等高迁移率二维材料展示出优异的电学、热学、光学和力学性质及广阔的应用前景。本报告将介绍最近几年我们课题组和合作者在高迁移率二维晶体材料(石墨烯、金属硫氧族半导体BOX)的控制生长方法、制备装备研发与功能器件应用方面的进展：1）建立和发展了精确调控石墨烯结构的范德华外延、限域“分子流”、持续氧辅助等一系列生长方法，实现了高质量单层、AB堆垛双层石墨烯、双层扭转石墨烯和调制掺杂石墨烯PN结的可控生长，创造了石墨烯单晶生长速度的世界纪录，实现了4英寸无褶皱石墨烯单晶晶圆、大面积石墨烯薄膜的连续批量制备和绿色无损转移，实现了旋转双层石墨烯光电器件研制、单晶石墨烯PN结的调制掺杂和“光热电”机制的高效能量转换；2）首次发现并制备了一类全新的超高迁移率二维氧化物半导体芯片材料BOX（硒氧化铋，Bi2O2Se），与合作者利用扫描隧道显微镜及角分辨光电子能谱对其表界面微观结构及电子结构进行了透彻解析，并构筑了高速低功耗场效应晶体管，在低温下观测到显著的量子振荡行为，还研制了可在室温工作的超快高敏近红外光电探测器，这为未来高速电子器件和集成电路的发展提供了一种可能的材料选择。
报告人简介：彭海琳，北京大学教授、国家杰出青年科学基金获得者、万人计划领军人才。吉林大学学士(2000年)，北京大学博士(2005年；师从刘忠范院士)，斯坦福大学博士后(2005-2009年)，2009年到北京大学工作至今，从事石墨烯、拓扑绝缘体和二维硫氧族半导体等高迁移率二维材料的制备方法与器件应用基础研究。已发表论文170余篇（含Science和Nature子刊20余篇），被他引逾10000次，授权专利20项。曾获国家自然科学二等奖、第二十届茅以升北京青年科技奖、2017年Small青年科学家创新奖、2018年教育部青年科学奖。